申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-07-28

公开（公告）日：2023-10-13

公开（公告）号：CN116884990A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.31#实质审查的生效;2023.10.13#公开

摘要：本发明提供了一种NLDMOS器件，包括：依次位于衬底内的N型埋层和N型埋层上的外延层；位于外延层内的第一P型阱区、N型漂移区和第一N型阱区，N型漂移区位于第一P型阱区的两侧；第一N型阱区位于N型漂移区的远离第一P型阱区的一侧；位于外延层内的P型漂移区，P型漂移区位于第一N型阱区的远离N型漂移区的一侧；位于外延层内的P型隔离层，P型隔离层两边分别与P型漂移区接触，P型隔离层的上表面与第一N型阱区、N型漂移区和第一P型阱区均接触；位于P型漂移区内的第二P型阱区；其中，第一N型阱区与N型漂移区以及P型漂移区均有一定的距离，且N型漂移区的离子浓度越大，第一N型阱区与N型漂移区之间的距离越大。

主权项：1.一种NLDMOS器件，其特征在于，包括：衬底；依次位于所述衬底内靠近衬底表面的N型埋层以及位于所述N型埋层表面的外延层；位于所述外延层内的第一P型阱区和N型漂移区，所述N型漂移区位于所述第一P型阱区的两侧；位于所述外延层内的第一N型阱区，所述第一N型阱区位于所述N型漂移区的远离第一P型阱区的一侧；位于所述外延层内的P型漂移区，所述P型漂移区位于所述第一N型阱区的远离所述N型漂移区的一侧；位于所述外延层内的P型隔离层，所述P型隔离层两边分别与所述P型漂移区接触，所述P型隔离层的上表面与所述第一N型阱区、所述N型漂移区和所述第一P型阱区均接触；位于所述P型漂移区内的第二P型阱区；其中，所述第一N型阱区与所述N型漂移区以及所述P型漂移区均有一定的距离，且所述N型漂移区的离子浓度越大，所述第一N型阱区与所述N型漂移区之间的距离越大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 NLDMOS器件及形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD