申请/专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网上海市电力公司;国家电网有限公司

申请日：2022-07-11

公开（公告）日：2023-02-24

公开（公告）号：CN114864666B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.24#授权;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

主权项：1.一种NLDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：形成衬底；在所述衬底上形成P型体区与N型漂移区；在所述N型漂移区上形成场氧化层与N型掺杂区；在所述场氧化层与所述N型掺杂区上形成栅极；以及在所述N型漂移区上形成N型重掺杂漏区，其中，所述N型掺杂区设于所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区，所述N型掺杂区沿所述场氧化层与所述N型漂移区的交界区延伸，所述N型掺杂区的一侧延伸超过所述栅极同侧的外沿，所述N型掺杂区不与所述N型重掺杂漏区接触，以及所述N型掺杂区的掺杂剂量大于所述N型漂移区的掺杂剂量，其中，所述在所述N型漂移区上形成场氧化层与N型掺杂区包括：在所述N型漂移区上进行硅局部氧化生长以形成所述场氧化层；以及通过离子注入方式在所述场氧化层的下方形成所述N型掺杂区。

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权利要求：

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