申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-05-15

公开（公告）日：2023-07-25

公开（公告）号：CN116486863A

主分类号：G11C11/22

分类号：G11C11/22

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.11#实质审查的生效;2023.07.25#公开

摘要：本发明提供一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构，包括：中央处理器和存储器；存储器包括：主存储器和存储级内存；存储级内存与主存储器通信连接，主存储器与中央处理器通信连接；存储级内存包含有多个第一晶体管，主存储器包含有多个第二晶体管，第一晶体管用于实现存储级内存的存储功能，第二晶体管用于实现主存储器的存储功能；第一晶体管和第二晶体管均为氧化铪基铁电场效应晶体管。本发明能够解决冯诺依曼架构中的存储墙问题。

主权项：1.一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构，其特征在于，包括：中央处理器和存储器；所述存储器包括：主存储器和存储级内存；所述存储级内存与所述主存储器通信连接，所述主存储器与所述中央处理器通信连接；所述存储级内存包含有多个第一晶体管，所述主存储器包含有多个第二晶体管，所述第一晶体管用于实现所述存储级内存的存储功能，所述第二晶体管用于实现所述主存储器的存储功能；所述第一晶体管和所述第二晶体管均为氧化铪基铁电场效应晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种铪基铁电场效应晶体管实现的冯诺依曼架构

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