申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2022-02-28

公开（公告）日：2023-09-05

公开（公告）号：CN116705610A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L21/762

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.09.05#公开

摘要：本发明提供一种FDSOI工艺多层源漏外延硅生长方法，提供衬底，在衬底上形成埋氧层；之后在埋氧层上形成SOI层；在SOI层上形成栅极，栅极两侧为源漏区；在源漏区的SOI层上形成非掺杂外延层；在非掺杂外延层上形成第一掺杂外延层；在第一掺杂外延层上形成第二掺杂外延层；使用去离子水对衬底进行清洗。本发明将外延硅由单层结构改为多层结构,其中非掺杂外延硅,可以有效阻挡离子扩散。而中高掺杂外延硅和高掺杂外延硅,可以显著降低源漏电阻，提高器件性能。

主权项：1.一种FDSOI工艺多层源漏外延硅生长方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成埋氧层；之后在所述埋氧层上形成SOI层；步骤二、在所述SOI层上形成栅极，所述栅极两侧为源漏区；步骤三、在所述源漏区的所述SOI层上形成非掺杂外延层；步骤四、在所述非掺杂外延层上形成第一掺杂外延层；步骤五、在所述第一掺杂外延层上形成第二掺杂外延层；步骤六、使用去离子水对进行步骤五后的所述衬底进行清洗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种FDSOI工艺多层源漏外延硅生长方法

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