申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-07-19

公开（公告）日：2023-10-24

公开（公告）号：CN116940119A

主分类号：H10B43/30

分类号：H10B43/30;H01L21/266;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/792

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.10#实质审查的生效;2023.10.24#公开

摘要：本发明公开了一种SONOS器件的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，完成P型源漏注入工艺环之前的工艺且在P型源漏注入工艺环之前的工艺中取消IOPLDD工艺环，IOPLDD为输入输出P型轻掺杂漏。步骤二、进行P型源漏注入工艺环，包括：步骤21、形成掩膜层并进行图形化。步骤22、采用掩膜层为掩膜进行IOPLDD注入形成IOPLDD区。步骤23、采用掩膜层为掩膜进行P型源漏注入形成P型源漏区，IOPLDD区的结深大于P型源漏区的结深。本发明能降低工艺成本以及缩短生产周期。

主权项：1.一种SONOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，完成P型源漏注入工艺环之前的工艺且在所述P型源漏注入工艺环之前的工艺中取消IOPLDD工艺环，IOPLDD为输入输出P型轻掺杂漏；步骤二、进行所述P型源漏注入工艺环，包括：步骤21、形成掩膜层并对所述掩膜层进行图形化，图形化后的所述掩膜层将P型源漏注入区打开以及将所述P型源漏注入区的外部覆盖；步骤22、采用所述掩膜层为掩膜进行IOPLDD注入形成IOPLDD区；步骤23、采用所述掩膜层为掩膜进行P型源漏注入形成P型源漏区，所述IOPLDD区的结深大于所述P型源漏区的结深。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SONOS器件的制造方法

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