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【发明公布】提升SONOS存储器工作窗口的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202311371449.4 

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

申请日:2023-10-20

公开(公告)日:2024-02-23

公开(公告)号:CN117596886A

主分类号:H10B43/30

分类号:H10B43/30;H01L21/28

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要:本发明提供一种提升SONOS存储器工作窗口的方法,提供衬底,衬底上具有形成SONOS存储器的有源区;将衬底设置在炉管中,在有源区上形成第一氧化层,第一氧化层为第一目标厚度;在炉管中通入硅源气体和氮源气体,在第一氧化层上形成氮化层,氮化层为第二目标厚度,氮化层中形成有目标数量的电子陷阱;在炉管中通入硅源气体,调整炉管中的薄膜生长条件,在氮化层上形成第二氧化层,第一、二氧化层和氮化层组成第一ONO层,第二氧化层为第三目标厚度且其厚度均一性符合预设目标,使得第二氧化层形成后,氮化层中电子陷阱的数量符合预设数量。本发明减少了ONO层氮化物层内存储电荷陷阱修复,使得SONOS器件工作窗口增加。

主权项:1.一种提升SONOS存储器工作窗口的方法,其特征在于,至少包括:步骤一、提供衬底,所述衬底上具有形成SONOS存储器的有源区;步骤二、将所述衬底设置在炉管中,在所述有源区上形成第一氧化层,所述第一氧化层为第一目标厚度;步骤三、在所述炉管中通入硅源气体和氮源气体,在所述第一氧化层上形成氮化层,所述氮化层为第二目标厚度,所述氮化层中形成有目标数量的电子陷阱;步骤四、在所述炉管中通入硅源气体,调整所述炉管中的薄膜生长条件,在所述氮化层上形成第二氧化层,所述第一、二氧化层和所述氮化层组成第一ONO层,所述第二氧化层为第三目标厚度且其厚度均一性符合预设目标,使得所述第二氧化层形成后,所述氮化层中所述电子陷阱的数量符合预设数量;步骤五、图形化所述第一ONO层,使得所述第一ONO层保留在所述栅氧化层上,之后在所述ONO层上形成栅极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 提升SONOS存储器工作窗口的方法

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