申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-08-10

公开（公告）日：2023-11-10

公开（公告）号：CN117042459A

主分类号：H10B43/30

分类号：H10B43/30;H10B41/30;H01L21/265

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开

摘要：本发明提供一种改善SONOS器件GIDL效应的方法，方法包括：步骤一提供一SONOS器件存储区的半导体结构，包括半导体衬底、形成于半导体衬底内的第一阱区及第二阱区、形成于第一阱区表面的第一栅极结构及形成于第二阱区表面的第二栅极结构；步骤二于第一栅极结构的两侧及第二栅极结构的两侧进行第一离子注入工艺以于半导体衬底的表层形成无定型层；步骤三进行第二离子注入工艺以于无定型层内注入碳离子，并形成碳离子注入区；步骤四于碳离子注入区内进行第三离子注入工艺以形成源区及漏区。通过本发明解决了现有的在改善GIDL效应时无法使得SONOS器件电流性能得到保证的问题。

主权项：1.一种改善SONOS器件GIDL效应的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一提供一SONOS器件存储区的半导体结构，所述半导体结构包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底内的第一阱区及第二阱区、形成于所述第一阱区表面的第一栅极结构及形成于所述第二阱区表面的第二栅极结构，其中，所述第一阱区内掺杂离子的导电类型与所述第二阱区内掺杂离子的导电类型不同；步骤二于所述第一栅极结构的两侧及所述第二栅极结构的两侧进行第一离子注入工艺以于所述半导体衬底的表层形成无定型层；步骤三进行第二离子注入工艺以于所述无定型层内注入碳离子，并形成碳离子注入区；步骤四于所述碳离子注入区内进行第三离子注入工艺以形成源区及漏区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善SONOS器件GIDL效应的方法

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