申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-05-29

公开（公告）日：2023-12-15

公开（公告）号：CN117241583A

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B43/35

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.02#实质审查的生效;2023.12.15#公开

摘要：本发明提供一种改善GIDL效应的SONOS嵌入式闪存结构，包括衬底，衬底上的有源区上利用离子注入形成有漏区以及位于漏区两侧的第一、二源区；漏区至第一源区上形成有栅氧化层；第二源区至漏区、第一源区之间一区域形成有ONO层，ONO层由自下而上的第一氧化层、氮化层、第二氧化层组成；第二源区、漏区之间的ONO层上形成有控制栅；第一源区、漏区之间的ONO层以及栅氧化层上形成选择栅，ONO层延伸至选择栅的内部。本发明的ONO层延伸至所述选择栅的内部，通过增加选择栅源端一侧薄膜厚度，降低了电场强度，从而抑制GIDL效应，降低漏电流。

主权项：1.根据权利要求1所述的改善GIDL效应的SONOS嵌入式闪存结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上的有源区上利用离子注入形成有漏区以及位于所述漏区两侧的第一、二源区；所述漏区至所述第一源区上形成有栅氧化层；所述第二源区至所述漏区、所述第一源区之间一区域形成有ONO层，所述ONO层由自下而上的第一氧化层、氮化层、第二氧化层组成；所述第二源区、所述漏区之间的所述ONO层上形成有控制栅；所述第一源区、所述漏区之间的所述ONO层以及所述栅氧化层上形成选择栅，所述ONO层延伸至所述选择栅的内部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善GIDL效应的SONOS嵌入式闪存结构及其制造方法

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