申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2023-06-29

公开（公告）日：2023-12-01

公开（公告）号：CN117156862A

主分类号：H10B43/35

分类号：H10B43/35

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.19#实质审查的生效;2023.12.01#公开

摘要：本发明提供了一种SONOS存储器的形成方法，包括：提供衬底，在衬底内形成共源埋层；在衬底的表面形成外延层；在外延层内形成N形阱区，N型阱区与共源埋层电性连接；在外延层和N型阱区的上表面均依次形成ONO层、第一多晶硅和硬掩膜层；在硬掩膜层、第一多晶硅内形成第一开口；从第一开依次刻蚀ONO层和外延层，以形成位于外延层内的凹槽；在凹槽的内壁形成阻挡氧化层，通过阻挡氧化层向外延层内注入离子，以在外延层内形成存储管的源极，存储管的源极与共源埋层电性连接；去除阻挡氧化层，在凹槽的内壁形成选择管氧化层；在凹槽和第一开口内形成选择管的栅极。本发明能分开对存储管和选择管施加电压。

主权项：1.一种SONOS存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内形成共源埋层，所述共源埋层的表面与衬底的表面齐平；在所述衬底的表面形成外延层；在所述外延层内形成N型阱区，所述N型阱区垂直于所述共源埋层的表面，所述N型阱区的横截面为环状结构，所述N型阱区的上表面与所述外延层的表面齐平，所述N型阱区的底部与所述共源埋层接触，所述N型阱区与所述共源埋层电性连接；在所述外延层和N型阱区的上表面均依次形成ONO层、第一多晶硅和硬掩膜层；在所述硬掩膜层、第一多晶硅内形成第一开口，所述第一开口内暴露出所述ONO层的表面；从所述第一开口向所述外延层的方向，依次刻蚀所述ONO层和外延层，以形成位于所述外延层内的凹槽；在所述凹槽的内壁形成阻挡氧化层，通过所述阻挡氧化层向所述外延层内注入离子，以在所述外延层内形成存储管的源极，所述存储管的源极与所述共源埋层电性连接；去除所述阻挡氧化层，在所述凹槽的内壁形成选择管氧化层；在所述凹槽和第一开口内形成选择管的栅极；刻蚀所述第一多晶硅层露出部分所述ONO层的表面，剩余的所述第一多晶硅形成存储管的栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 SONOS存储器的形成方法

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