申请/专利权人：珠海创飞芯科技有限公司

申请日：2023-08-10

公开（公告）日：2023-11-17

公开（公告）号：CN117082868A

主分类号：H10B43/30

分类号：H10B43/30;H10B43/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.05#实质审查的生效;2023.11.17#公开

摘要：本申请提供了一种SONOS存储器件的制作方法，该制作方法采用砷离子注入工艺来制备第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极，简化了工艺流程。同时还降低了第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极中的离子浓度，有效的降低了第一低压轻掺杂漏极和第二低压轻掺杂漏极对器件中电子的干扰，进而提高该SONOS存储器件中数据的可靠性。

主权项：1.一种SONOS存储器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有MOS器件区和SONOS器件区；所述MOS器件区的表面内具有第一阱区和SONOS器件区的表面内具有第二阱区；在所述第一阱区的表面上形成MOS器件的栅极，在所述第二阱区的表面上形成SONOS器件的栅极；基于砷离子注入工艺，在所述MOS器件的栅极两侧的第一阱区表面内形成第一低压轻掺杂漏极，在所述SONOS器件的栅极两侧的第二阱区表面内形成第二低压轻掺杂漏极；其中，所述第一低压轻掺杂漏与所述第二低压轻掺杂漏极同时形成；在所述第一阱区内的两第一低压轻掺杂漏极内分别形成MOS器件的源极和漏极，在所述第二阱区内的两第二低压轻掺杂漏极内分别形成SONOS器件的源极和漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海创飞芯科技有限公司 一种SONOS存储器件的制作方法

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