申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2024-01-19

公开（公告）号：CN117418302A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要：本发明提供改善IGBT氧含量面内分布的拉晶方法及单晶晶棒，在化料步骤中，通过石英加料器进行加料，降低初始氧含量；当化料结束后，调节加热器的高度，使得加热器的发热区处于硅液的液面位置以下，并且调节水平磁场的位置，使得磁场中心位于液面下方；在等径时，在预定磁场强度下，调节磁场与石英坩埚上升的速度，以抑制坩埚熔体内垂直切割磁力线的热对流，以达到降低流体高速运动的目的，使得产生的涡流减小，同时熔体中的强迫对流方向与磁场分量的方向垂直，强迫对流也被减弱，而靠近坩埚内熔体表面的对流几乎被完全抑制，而平行与磁场发现的对流流动速度加快，利于借助自然对流改善熔体内的氧浓度分布，使氧含量的面内分布均匀。

主权项：1.一种改善IGBT氧含量面内分布的拉晶方法，其特征在于，包括以下步骤，S1：在化料步骤中，通过石英加料器进行加料，降低初始氧含量；S2：当化料结束后，调节加热器的高度，使得加热器的发热区处于硅液的液面位置以下，并且调节水平磁场的位置，使得磁场中心位于液面下方；S3：在等径时，在预定磁场强度下，调节磁场与石英坩埚上升的速度，以使氧含量分布均匀。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 改善IGBT氧含量面内分布的拉晶方法及单晶晶棒

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