申请/专利权人:天合光能股份有限公司
申请日:2023-07-05
公开(公告)日:2024-02-06
公开(公告)号:CN220456428U
主分类号:H01L31/0216
分类号:H01L31/0216;H01L31/06
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.02.06#授权
摘要:本公开涉及一种美学正膜膜层结构和晶体硅太阳能电池。美学正膜膜层结构用于晶体硅太阳能电池的全黑组件。美学正膜膜层结构包括:美学叠层膜,所述美学叠层膜沉积于所述晶体硅太阳能电池的衬底的面向光辐照的一侧,所述美学叠层膜用于钝化和减反射。所述美学叠层膜具有多个膜层,所述多个膜层的层数大于或等于4层,所述多个膜层的每一个膜层的折射率均大于1.5,并且所述多个膜层不包含氧化硅层。
主权项:1.一种美学正膜膜层结构,其用于晶体硅太阳能电池的全黑组件,其特征在于,包括:美学叠层膜,所述美学叠层膜沉积于所述晶体硅太阳能电池的衬底的面向光辐照的一侧,所述美学叠层膜用于钝化和减反射,其中,所述美学叠层膜具有多个膜层,所述多个膜层的层数大于或等于4层,所述多个膜层的每一个膜层的折射率均大于1.5,并且所述多个膜层不包含氧化硅层,其中,所述美学叠层膜的总厚度在60nm至90nm之间。
全文数据:
权利要求:
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