申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637812A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法，属于半导体领域，适用于抗辐射高压体硅与SOI工艺，实现具有无回滞效应的高压GGNMOSESD器件。本发明中，第一N型掺杂区作为耐压区域，其掺杂浓度较低，能够提高器件的击穿电压，器件的触发电压Vt1和维持电压Vh因此提高；第一N型掺杂区的注入位于厚栅氧之前，第一N型掺杂区与多晶栅电极及厚栅氧交叠形成场板结构，交叠部分长度可调，对下方第一N型掺杂区的电场进行调制，控制高压GGNMOS的触发电压Vt1和维持电压Vh；通过控制本发明中第一N型掺杂区的注入剂量、注入能量，可以达到保持Vh不变同时降低触发电压Vt1的目的，为此更容易满足ESD设计窗口。

主权项：1.一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件，其特征在于，包括N型衬底、第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、场氧化层、有源区、厚栅氧、多晶栅电极、第二N型掺杂区、第二P型掺杂区、金属介质层、漏极金属电极、源和体极金属电极；其中，第一P型掺杂区设置在N型衬底中，第一N型掺杂区设置在第一P型掺杂区中，第二P型掺杂区和第二N型掺杂区位于第一P型掺杂区的上表面，第一N型掺杂区与多晶栅电极有重叠部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法

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