申请/专利权人：北京燕东微电子股份有限公司

申请日：2022-11-03

公开（公告）日：2023-03-28

公开（公告）号：CN218769543U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.28#授权

摘要：本申请实施例提供一种GGNMOS器件以及集成电路。其中，GGNMOS器件包括：衬底；栅极结构，包括层叠设置在衬底上的栅极介质层和栅极层，且栅极层沿第一方向延伸；漏极结构，包括漏极轻掺区、第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区；其中，漏极轻掺区形成于衬底中，并位于栅极结构在第二方向上的一侧；第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区均形成于漏极轻掺区中，且沿远离栅极结构的方向依次间隔设置；沿第二方向，第一重掺区的长度大于第二重掺区的长度，第三重掺区的长度大于第二重掺区的长度。本申请提供的GGNMOS器件以及集成电路具有较大的漏端电阻，从而提高其鲁棒性。

主权项：1.一种GGNMOS器件，其特征在于，包括：衬底；栅极结构，包括层叠设置在所述衬底上的栅极介质层和栅极层，且所述栅极层沿第一方向延伸；源极结构，包括源极轻掺区以及源极重掺区；其中所述源极轻掺区形成于所述衬底中，并位于所述栅极结构在第二方向上的一侧；所述源极重掺区位于所述源极轻掺区内；所述第二方向平行于衬底表面且垂直于所述第一方向；漏极结构，包括漏极轻掺区、第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区；其中，所述漏极轻掺区形成于所述衬底中，并位于所述栅极结构在所述第二方向上的另一侧；所述第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区均形成于所述漏极轻掺区中，且沿远离所述栅极结构的方向依次间隔设置；沿所述第二方向，所述第一重掺区的长度大于所述第二重掺区的长度，所述第三重掺区的长度大于所述第二重掺区的长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京燕东微电子股份有限公司 GGNMOS器件以及集成电路

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