申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117650430A

主分类号：H01S5/343

分类号：H01S5/343

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体说是一种半导体绿光激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱，所述有源层的阱层为AlInGaN、AlInN、AlGaN、AlN、InN、InGaN和GaN中的任意一种或任意几种组合，所述有源层的垒层为AlInGaN、AlInN、AlGaN、AlN、InN、InGaN和GaN中的任意一种或任意几种组合，所述有源层的阱层电子有效质量小于垒层电子有效质量，阱层的自发极化系数小于垒层的自发极化系数，阱层的禁带宽度小于垒层的禁带宽度。本发明提升激光器的载流子均匀性和激光激射增益均匀性，提升激光器的光功率、激射增益和斜率效率。

主权项：1.一种半导体绿光激光器，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、上限制层105，其特征在于：所述有源层103为阱层和垒层组成的量子阱，量子阱周期为x，1≤x≤3；所述有源层103的阱层为AlInGaN、AlInN、AlGaN、AlN、InN、InGaN和GaN中的任意一种或任意几种组合，阱层厚度为p，5≤p≤100埃米；所述有源层103的垒层为AlInGaN、AlInN、AlGaN、AlN、InN、InGaN和GaN中的任意一种或任意几种组合，垒层厚度为q，10≤q≤200埃米；所述有源层103的阱层电子有效质量小于垒层电子有效质量，阱层的自发极化系数小于垒层的自发极化系数，阱层的禁带宽度小于垒层的禁带宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体绿光激光器

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