申请/专利权人：宏茂微电子(上海)有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117650064A

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/498;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种提高PoP封装可靠性的封装方法及其封装结构。包括如下步骤：S1，在上基板正面安装第一芯片；S2，对上基板正面进行塑封；S3，在上基板背面植入若干第一金属球；S4，划片形成上封装体；S5，在下基板正面植入若干第二金属球；S6，在下基板正面安装第二芯片；S7，在下基板正面进行塑封；S8，露出第二金属球球面，形成下封装体；S9，上封装体通过倒装回流工艺与下封装体连接，第一金属球与第二金属球垂直互联，形成电连接；S10，通过激光对下基板进行开槽；S11，塑封；S12，在下基板背面植入若干第三金属球；S13，划片。同现有技术相比，封装结构从二维到三维，封装尺寸缩小、集成度高、传输路径短。

主权项：1.一种提高PoP封装可靠性的封装方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，在上基板（1）正面安装第一芯片（2）；S2，对上基板（1）正面进行塑封；S3，在上基板（1）背面植入若干第一金属球（3）；S4，划片形成上封装体，上封装体的长度、宽度尺寸小于最终封装体的长度、宽度；S5，在下基板（5）正面植入若干第二金属球（6）；S6，在下基板（5）正面安装第二芯片（7）；S7，在下基板（5）正面进行塑封，塑封厚度大于第二金属球（6）的高度；S8，利用激光钻孔或者塑封减薄的方法露出第二金属球（6）球面，形成下封装体；S9，上封装体通过倒装回流工艺与下封装体连接，第一金属球（3）与第二金属球（6）垂直互联，形成电连接；S10，通过激光对下基板（5）进行开设凹槽（13）；S11，塑封，包裹上基板（1）、上基板（1）与下基板（5）之间的间隙、下基板（5）上的凹槽（13）；S12，在下基板（5）背面植入若干第三金属球（9）；S13，划片，形成最终封装体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宏茂微电子(上海)有限公司 一种提高PoP封装可靠性的封装方法及其封装结构

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