申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司

申请日：2022-04-29

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN114975418B

主分类号：H01L25/18

分类号：H01L25/18;H01L25/065;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60;H10B80/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.27#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要：本发明提供一种三维扇出型内存的POP封装结构及其封装方法，该结构包括：三维扇出型内存封装单元，包括：两片以上呈阶梯型构造层叠的存储芯片，模塑基板，打线结构，第一重新布线层，第一封装层，第一金属凸块，形成于第一重新布线层上；及二维扇出型外围电路芯片SiP封装单元，包括：第二重新布线层，外围电路芯片，第三重新布线层，接合于外围电路芯片上，第一金属连接柱，第二封装层，包覆外围电路芯片及第一金属连接柱，第二金属凸块，形成于第二重新布线层上；第一金属凸块与第三重新布线层键合。该结构可以进行高密度高集成线宽线距；制程时间短，效率高，提高打线良率；还可使封装结构的厚度大幅降低，实现中道至后道取代基板的封装工艺形式。

主权项：1.一种三维扇出型内存的POP封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：三维扇出型内存封装单元及与其键合的二维扇出型外围电路芯片SiP封装单元；所述三维扇出型内存封装单元包括：两片以上呈阶梯型构造层叠的存储芯片，所述存储芯片上具有焊垫，且所述焊垫设置于所述阶梯型构造的阶梯台面上；模塑基板，与最底层所述存储芯片接合；所述模塑基板包括第三封装层及塑封于所述第三封装层内的第二金属连接柱，所述第三封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶及环氧树脂中的一种；打线结构，分别电连接所述存储芯片的所述焊垫及所述模塑基板；第一重新布线层，设置于所述模塑基板下，所述第二金属连接柱分别与所述打线结构及所述第一重新布线层连接；第一封装层，包覆所述存储芯片及所述打线结构；第一金属凸块，形成于所述第一重新布线层上；所述二维扇出型外围电路芯片SiP封装单元包括：第二重新布线层；至少一个呈二维排布且电连接于所述第二重新布线层上的外围电路芯片；第一金属连接柱，设置于所述外围电路芯片的外侧；第二封装层，包覆所述外围电路芯片及所述第一金属连接柱；第三重新布线层，位于所述第二封装层上且接合于所述外围电路芯片上，所述第一金属连接柱分别与所述第二重新布线层及所述第三重新布线层电连接；第二金属凸块，形成于所述第二重新布线层上；所述第一重新布线层包括介质层及金属布线层，所述介质层的材料包括磷硅玻璃和或含氟玻璃；所述第一金属凸块与所述第三重新布线层键合，实现所述三维扇出型内存封装单元与所述二维扇出型外围电路芯片SiP封装单元的键合。

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