申请/专利权人：西南交通大学

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117666300A

主分类号：G03F9/00

分类号：G03F9/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明属于半导体集成电路制造技术领域，公开了一种基于双频莫尔条纹的光刻对准方法，包括步骤：在硅片上制作两个频率不同的测量光栅，硅片上每个测量光栅的一侧设有透明区域；在掩膜上制作两个相同的测量光栅，掩膜上每个测量光栅的一侧设有参考光栅；将硅片和掩膜重叠放置，通过激光进行准直照明，形成双频莫尔条纹，利用相机对双频莫尔条纹进行图像采集；集的图像输入相位解析模型，计算出图像的对准偏移信息；通过对准偏移信息完成掩膜和硅片的对准。本发明的光刻对准方法可以实现大量程高精度的光刻对准。

主权项：1.一种基于双频莫尔条纹的光刻对准方法，其特征在于，包括步骤：S1、在硅片上制作两个频率不同的测量光栅，硅片上每个测量光栅的一侧设有透明区域；在掩膜上制作两个相同的测量光栅，掩膜上每个测量光栅的一侧设有参考光栅；S2、将硅片和掩膜重叠放置，通过激光进行准直照明，形成双频莫尔条纹，利用相机对双频莫尔条纹进行图像采集；S3、采集的图像输入相位解析模型，计算出图像的对准偏移信息；S4、通过对准偏移信息完成掩膜和硅片的对准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西南交通大学 一种基于双频莫尔条纹的光刻对准方法

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