申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-11-27

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN112466950B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2021.03.09#公开

摘要：本发明公开了一种抗边缘漏电SOIMOS结构及其形成方法，该结构通过在体接触区内设置重掺杂区，该重掺杂区的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，使得体接触有源区局部边缘场氧与埋氧层之间夹角区域的掺杂浓度超过阱区的掺杂浓度，其中，注入窗口露出体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且注入窗口的边缘与栅区之间具有一定的间隔距离。通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，形成抗边缘漏电的BTS型SOIMOS结构。

主权项：1.一种抗边缘漏电SOIMOS结构，其特征在于，包括：SOI衬底，位于所述SOI衬底上方的埋氧层，位于所述埋氧层上方的有源区、场注入区、体接触区、栅介质层以及栅区；其中，所述有源区包括源区、漏区以及沟道区，所述体接触区设置于所述源区长度方向的两端，且与所述源区以及所述栅区下方的阱区均部分重叠；所述体接触区内设置有重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂浓度超过所述阱区的掺杂浓度，所述重掺杂区包含体接触有源区与场注入区之间的部分交界区域，且所述重掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种抗边缘漏电SOI MOS结构及其形成方法

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