申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2020-04-28

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN111508891B

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2020.09.01#实质审查的生效;2020.08.07#公开

摘要：本发明公开了一种SOI晶圆片的制作方法，包括：步骤一、在第一晶圆片的第一表面依次形成第一二氧化硅层和第二高介电常数层；步骤二、在第一晶圆片的第一表面注入氢杂质；步骤三、在第二晶圆片的第一表面形成第三二氧化硅层；步骤四、对第二高介电常数层和第三二氧化硅层进行键合；步骤五、将第一晶圆片中位于氢杂质注入区域顶部的部分去除，由保留的第一晶圆片作为顶层硅，由第一二氧化硅层、第二高介电常数层和第三二氧化硅层叠加形成高介电常数介质埋层，由第二晶圆片作为体硅。本发明能形成高介电常数介质埋层，能增强器件的背栅对沟道区的电容耦合作用，有利于形成FDSOI器件并显著提升背栅在FBB和RBB模式下的控制力，降低器件的功率损耗。

主权项：1.一种SOI晶圆片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供第一晶圆片，所述第一晶圆片为用于形成顶层硅的硅晶圆片，在所述第一晶圆片的第一表面依次形成第一二氧化硅层和第二高介电常数层；所述第一二氧化硅层采用热氧化工艺生长形成；所述第二高介电常数层的材料包括氮氧化铪、氧化锆或氧化钽；步骤二、进行氢离子注入将氢杂质从所述第一晶圆片的第一表面注入到所述第一晶圆片中；步骤三、提供第二晶圆片，所述第二晶圆片为硅晶圆片，在所述第二晶圆片的第一表面形成第三二氧化硅层；所述第三二氧化硅层采用热氧化工艺生长形成；步骤四、对所述第二高介电常数层和所述第三二氧化硅层进行键合实现所述第一晶圆片和所述第二晶圆片的键合；步骤五、将所述第一晶圆片中位于氢杂质注入区域顶部的部分去除，由保留的所述第一晶圆片作为所述顶层硅，由所述第一二氧化硅层、所述第二高介电常数层和所述第三二氧化硅层叠加形成高介电常数介质埋层，由所述第二晶圆片作为体硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SOI晶圆片的制作方法

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