申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2017-12-22

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN114355733B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：["20161223 US 15/389,593","20170213 US 62/458,082"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.05.03#实质审查的生效;2022.04.15#公开

摘要：使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法。该方法包括生成小束控制数据，用于控制无掩模图案写入器来曝光晶片以用于电子器件的创建，其中基于特征数据集生成小束控制数据，该特征数据集定义能够被选择用于对电子器件进行个性化的特征，其中根据小束控制数据对晶片的曝光导致曝光图案，该图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自特征数据集的特征的不同选择。

主权项：1.一种使用利用无掩模图案写入器的无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法，所述无掩模图案写入器被布置成使用带电粒子小束将图案直接写入到晶片上，所述方法包括：生成小束控制数据，用于控制所述无掩模图案写入器，以曝光所述晶片用于所述电子器件的创建，基于特征数据集和基于选择数据生成所述小束控制数据，所述特征数据集定义能够被选择用于对所述电子器件进行个性化的特征，所述选择数据定义对用于对所述电子器件进行个性化的所述特征数据集的所述特征的选择，所述选择数据定义针对要从所述晶片制造的所述电子器件的不同子集的、对所述特征的不同选择，其中，根据所述小束控制数据对所述晶片的曝光导致曝光图案，所述图案针对所述电子器件的不同子集具有对来自所述特征数据集的所述特征的不同选择，使得每个所述电子器件成为与在所述晶片上创建的其他电子器件不同的具有公共部分和个性化区域的个性化电子器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 使用带电粒子多小束光刻系统制造独特芯片

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