申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727840A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20;H01L33/02;H01L29/06;C23C16/30;C23C16/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种纳米柱MicroLED及其制备方法。纳米柱MicroLED的制备方法包括：生长n型半导体纳米柱，并在所述n型半导体纳米柱的侧壁同步生长形成隔离层；在所述n型半导体纳米柱的顶部生长形成多量子阱层；在所述多量子阱层的顶部生长形成p型半导体层。本发明提供的一种纳米柱MicroLED的制备方法，采用Si源脉冲掺杂的生长方式在n型GaN纳米柱的侧壁形成SiNx隔离层，避免了多量子阱层、p型半导体层等结构在n型GaN纳米柱侧壁生长的问题，从而获得了轴向结构的纳米柱MicroLED。

主权项：1.一种纳米柱MicroLED的制备方法，其特征在于，包括：生长n型半导体纳米柱，并在所述n型半导体纳米柱的侧壁同步生长形成隔离层；在所述n型半导体纳米柱的顶部生长形成多量子阱层；在所述多量子阱层的顶部生长形成p型半导体层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 纳米柱Micro LED及其制备方法

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