申请/专利权人：华映科技(集团)股份有限公司

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727697A

主分类号：H01L21/84

分类号：H01L21/84

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：一种避免蚀刻残留的阵列基板工艺方法，包括：在玻璃基板上形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层，涂布一层有机光阻，源极位置进行开孔；采用第三绝缘层的光罩进行开孔，沉积第一透明电极层，沉积一层第四绝缘层，并进行图案化开孔；沉积第二透明电极层。本发明基于9道Mask制程followTop‑comTIC显示驱动设计原理情况下，在不增加光罩成本情况下，优化工艺，共用第四绝缘层光罩+负型光阻特性，过孔干蚀刻SiNx时反应产物残留在所保留部分ITO上，经过干蚀刻草酸湿蚀刻干蚀刻三次蚀刻后，有效避免了不同膜层干蚀刻残留的问题。

主权项：1.一种避免蚀刻残留的阵列基板工艺方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：采用PVD方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；第二步：采用CVD方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；第三步：采用PVD方式沉积一层有源层，并进行图案化；第四步：采用CVD方式沉积一层第二绝缘层，为刻蚀阻挡层；第五步：对第二绝缘层进行开孔-第一过孔，以使第二金属层与第一金属层相连接；第六步：采用PVD方式沉积并图案化形成第二金属层，为源漏极金属层和触控金属层；第七步：采用CVD方式沉积一层第三绝缘层，为钝化绝缘层；第八步：涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔-第二过孔之一和第二过孔之二；第二过孔之一：用于像素电极与源漏极相连接；第二过孔之二：用于公共电极与触控电极连接；第九步：采用第三绝缘层的光罩进行开孔，第三过孔之一和第三过孔之二；第三过孔之一：用于像素电极与源漏极相连接；第三过孔之二：用于公共电极与触控电极连接；第十步：采用PVD方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此电极层作为像素电极；第十一步：采用CVD方式沉积一层第四绝缘层，并进行图案化开孔-第四过孔，该层绝缘层在面内作为像素电容；第十二步：采用PVD方式沉积第二透明电极层，并进行图案化，此电极层作为公共电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华映科技(集团)股份有限公司 一种避免蚀刻残留的阵列基板工艺方法

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