申请/专利权人:浙江晶盛机电股份有限公司;浙江晶盛光子科技有限公司
申请日:2023-12-22
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN117721438A
主分类号:C23C16/24
分类号:C23C16/24;C23C16/515;C23C16/52;C23C16/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开
摘要:本发明提供一种PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统,所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空和PECVD沉积;其中,所述升温的目标温度≤500℃;所述PECVD沉积的压力≤5000mTorr,功率≤18kW,脉冲开关比≥125,工艺气体包括SiH4和B2H6,稀释气体包括H2和或Ar。本发明提供的方法在PECVD沉积P‑poly硅的过程中,解决了爆膜和粉尘等问题的同时避免了石墨舟炉口烧焦,提升了膜色均匀性,有利于大规模推广应用。
主权项:1.一种PECVD沉积P-poly硅的方法,其特征在于,所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空和PECVD沉积;其中,所述升温的目标温度≤500℃;所述PECVD沉积的压力≤5000mTorr,功率≤18kW,脉冲开关比≥125,工艺气体包括SiH4和B2H6,稀释气体包括H2和或Ar。
全文数据:
权利要求:
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