申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727736A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H10B12/00;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括衬底、字线和至少两层介电层，字线设置于衬底上；至少两层介电层位于字线与衬底之间，至少两层介电层的介电常数不同，在本公开中通过不同介电常数的介电层能够提高字线对衬底内的沟道区的控制能力，且能够有效降低字线与有源区之间的GIDL电流，避免GIDL电流造成击穿，从而提高半导体结构的可靠性。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：衬底；字线，设置于所述衬底上；至少两层介电层，位于所述字线与所述衬底之间；其中，至少两层所述介电层的介电常数不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制作方法

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