申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-09

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727690A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H10B12/00;H01L23/538

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，该半导体结构的制备方法包括：提供堆栈层，堆栈层包括目标层；在目标层中形成间隔排布的多个第一目标图案；形成隔离层，隔离层覆盖具有第一目标图案的目标层；在目标层中形成间隔排布的多个第二目标图案，至少部分隔离层位于第一目标图案和第二目标图案之间。本公开提供的半导体结构的制备方法能够有效隔离第一目标图案和第二目标图案，从而避免通过第一目标图案和第二目标图案制备的接触结构发生短接的情况，提升半导体结构的性能。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供堆栈层，所述堆栈层包括目标层；在所述目标层中形成间隔排布的多个第一目标图案；形成隔离层，所述隔离层覆盖具有所述第一目标图案的所述目标层；在所述目标层中形成间隔排布的多个第二目标图案，至少部分所述隔离层位于所述第一目标图案和所述第二目标图案之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法和半导体结构

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