申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727688A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H10B12/00;H01L23/538;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/34;C23C14/58

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，在所述基底内形成接触孔；在所述接触孔的底部沉积金属，并进行反溅射处理以形成金属层；在所述反溅射处理中，金属原子或金属离子至少溅射在所述接触孔的部分侧壁上；退火处理，以使所述基底与所述金属层发生反应，并生成金属硅化物层。本公开实施例至少可以增大金属硅化物层与基底的接触面积，从而降低接触电阻，进而提高半导体结构的运行速率。

主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底内形成接触孔；在所述接触孔的底部沉积金属，并进行反溅射处理以形成金属层；在所述反溅射处理中，金属原子或金属离子至少溅射在所述接触孔的部分侧壁上；退火处理，以使所述基底与所述金属层发生反应，并生成金属硅化物层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制造方法和半导体结构

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