申请/专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司

申请日：2023-09-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727706A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L23/13;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/50;H01L21/56

优先权：["20220917 US 17/947,109"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，半导体装置包含衬底。所述衬底包含：基底，其包含顶侧以及与所述顶侧相对的空腔侧；引线，其从所述空腔侧延伸；以及包封物，其插入所述引线之间。电子组件位于所述空腔侧上并且与所述包封物间隔开。本文中还公开其它实例和相关方法。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，其包括：基底，其包括顶侧以及与所述顶侧相对的空腔侧；引线，其从所述空腔侧延伸；以及包封物，其插入所述引线之间；以及电子组件，其位于所述空腔侧上并且与所述包封物间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安靠科技新加坡控股私人有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法

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