申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2023-05-16

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727743A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H01L25/16;H01L21/50

优先权：["20220913 US 17/943,849"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底、去耦电容器结构以及电子元件。去耦电容器结构设置于基底上。电子元件设置于去耦电容器结构上，并电性地连接到去耦电容器结构。电子元件堆叠于去耦电容器结构上。去耦电容器结构包括第一导电层、介电膜以及第二导电层。第一导电层设置于基底上。介电膜设置于第一导电层上。第二导电层设置于介电膜上。第一导电层电性地连接到地，以及第二导电层的表面面积小于第一导电层的表面面积。

主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一去耦电容器结构，设置于该基底上；以及一电子元件，设置于该去耦电容器结构上并电性地连接到该去耦电容器结构，其中该电子元件堆叠于该去耦电容器结构上，其中该去耦电容器结构包括：一第一导电层，设置于该基底上；一介电膜，设置于该第一导电层上；以及一第二导电层，设置于该介电膜上，其中该第一导电层电性地连接到地，以及该第二导电层的一表面面积小于该第一导电层的一表面面积。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有去耦电容器结构的半导体元件及其制备方法

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