申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727779A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/43

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提出了一种绝缘碳化硅栅极结构的SiC绝缘栅双极晶体管，主要解决现有技术由于SiO2SiC界面而导致晶体管导通性能下降的问题。其技术关键是：将传统SiCIGBT器件的栅介质层由二氧化硅替换为具有绝缘碳化硅材料的复合栅结构或绝缘碳化硅介质栅，复合栅的上层栅介质采用SiO2或其它高k材料，下层栅介质采用绝缘碳化硅材料。通过复合栅的上层栅介质降低器件栅极漏电流，通过下层栅介质与基区接触形成无缺陷的绝缘SiCSiC界面，以避免沟道迁移率下降及其电阻的增大。本发明减小了SiCIGBT器件的通态电阻和正向压降，提升了器件性能，可用于工业控制、风电转换、新能源汽车、轨道交通和电网。

主权项：1.一种碳化硅绝缘材料复合栅的SiC绝缘栅双极型晶体管，自上而下包括多晶硅栅电极1、栅介质层2、碳化硅N型外延层7、碳化硅N-型缓冲层8、碳化硅P+型衬底9，碳化硅N型外延层7的顶部的左右两侧为碳化硅P型基区6，其特征在于，栅介质层2与碳化硅N型外延层7之间设有绝缘SiC栅介质层11，其与栅介质层2组成具有碳化硅绝缘材料的复合栅结构，以减小栅极漏电和器件的通态电阻及正向压降，提高器件性能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 绝缘碳化硅栅极结构的SiC绝缘栅双极型晶体管

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