申请/专利权人：英诺赛科(苏州)半导体有限公司

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117730408A

主分类号：H01L21/8252

分类号：H01L21/8252

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本公开提供了一种半导体装置和半导体装置的制造方法。该半导体器件包括衬底120；第一氮化物半导体层130，位于衬底120上；第二氮化物半导体层140，位于第一氮化物半导体层130上并且第二氮化物半导体层140的带隙大于第一氮化物半导体层130的带隙；晶体管14，位于第二氮化物半导体层140上；以及保护电路40，位于第二氮化物半导体层140上，其中保护电路40被配置为在晶体管14的栅极节点的电压超过第一阈值电压时，从栅极节点消散电子。

主权项：1.一种半导体装置，包括：衬底；第一氮化物半导体层，位于所述衬底上；第二氮化物半导体层，位于所述第一氮化物半导体层上；开关元件，位于所述第二氮化物半导体层上；电容器，与所述开关元件相邻；以及钳位元件，位于所述第二氮化物半导体层上，其中，所述钳位元件与所述电容器相邻并且电连接到所述开关元件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 半导体装置和制造半导体装置的方法

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