申请/专利权人：成都明夷电子科技股份有限公司

申请日：2023-12-05

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117375605B

主分类号：H03K19/094

分类号：H03K19/094;H03K19/003;H03K17/687

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2024.03.12#著录事项变更;2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要：本发明涉及校准电路架构技术领域，尤其涉及一种工艺角失配校准电路架构及电子器件，所述电路架构包括：参考电压产生电路，用于产生并输出参考电压；电流产生电路，与所述参考电压产生电路的输出端电性连接，所述电流产生电路用于产生并输出电流。通过参考参考电压产生电路产生参考电压、通过电流产生电路产生电流经开关电容积分电路以产生一个高比特数高精度码字，通过码字映射之后输出低比特数码字给相应电路模块使用。在电路模块用于校准的电阻电容阵列面积不增大的条件下，提高了工艺角的校准精度，满足绝大部分工艺敏感的高精度模拟芯片的工艺稳定要求。

主权项：1.一种工艺角失配校准电路架构，其特征在于，包括：参考电压产生电路，用于产生并输出参考电压；电流产生电路，与所述参考电压产生电路的输出端电性连接，所述电流产生电路用于产生并输出电流；开关电容积分电路，与所述参考电压产生电路和电流产生电路分别连接；码字输出和映射电路，所述码字输出和映射电路的输入端与所述开关电容积分电路的输出端电性连接，所述码字输出和映射电路的输出端连接目标电路；所述码字输出和映射电路用于输出码字以提供给目标电路；其中，所述参考电压产生电路包括：带隙基准电路、第二电阻和第三电阻；所述带隙基准电路的输出端依次连接第二电阻、第三电阻后接地；所述带隙基准电路产生第一参考电压VREF后经所述第二电阻分压得到第二参考电压VCOM；所述电流产生电路包括：第二运算放大器、第一电阻、第一开关元件和第一MOS管、第二MOS管；所述第一MOS管和所述第二MOS管的源极分别与电源VDD电性连接；所述第一MOS管的漏极与第一电阻、第一开关元件电性连接后接地；所述第二运算放大器的正极输入端与所述第一MOS管的漏极、所述第一电阻电性连接；所述第二运算放大器的负极输入端与所述带隙基准电路产生第一参考电压VREF电性连接；所述第二运算放大器的输出端分别与所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极电性连接；所述第二MOS管的漏极为所述电流产生电路的输出端，用于输出电流；所述开关电容积分电路包括：第一运算放大器、第一至第二电容、第二至第七开关和反相器INV；第一电容的一侧与第二开关、第四开关电性连接，另一侧与第三开关和第五开关电性连接；所述第二电容的一侧与第三开关、第六开关、所述第七开关和所述第一运算放大器的负极输入端电性连接；另一侧与所述第七开关和所述第一运算放大器的输出端电性连接；所述第一运算放大器的输出端为所述开关电容积分电路的输出端，用于输出电压VO；所述第六开关与所述电流产生电路的输出端连接；所述第一运算放大器的正极输入端与所述第五开关、所述第四开关和所述参考电压产生电路输出的第二参考电压VCOM电性连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都明夷电子科技股份有限公司 一种工艺角失配校准电路架构及电子器件

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