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【发明授权】半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法_三星电子株式会社_201910402840.3 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2019-05-15

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN110911386B

主分类号:H01L23/544

分类号:H01L23/544;H01L21/66

优先权:["20180918 KR 10-2018-0111542"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要:提供了一种半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法。所述半导体装置包括半导体裸片、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体裸片包括中心区域和围绕中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。缺陷检测结构包括位于左下角区域中的第一导电回路、位于右下角区域中的第二导电回路、位于左下角区域和左上角区域中的第三导电回路以及位于右下角区域和右上角区域中的第四导电回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路中的端节点。

主权项:1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体裸片,包括包含半导体集成电路的中心区域以及围绕中心区域的外围区域,其中,外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域;缺陷检测结构,位于外围区域中,缺陷检测结构包括位于左下角区域中的第一导电回路、位于右下角区域中的第二导电回路、位于左下角区域和左上角区域中的第三导电回路以及位于右下角区域和右上角区域中的第四导电回路;以及输入输出电路,电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路中的相应的端节点,其中,半导体裸片中缺陷的存在和缺陷的位置基于第一导电回路的第一输出端节点处的第一测试输出信号、第二导电回路的第二输出端节点处的第二测试输出信号、第三导电回路的第三输出端节点处的第三测试输出信号和第四导电回路的第四输出端节点处的第四测试输出信号来确定,其中,通过将施加到缺陷检测结构的输入端节点的测试输入信号的相位与第一测试输出信号至第四测试输出信号的相位进行比较来测量延迟时间,并且基于延迟时间来确定缺陷的存在以及缺陷的位置,其中,第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路共享所述输入端节点。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 半导体裸片的缺陷检测结构、半导体装置和缺陷检测方法

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