申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2023-09-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747487A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;F26B9/06;F26B21/10;F26B21/14;F26B21/00;F26B3/04

优先权：["20220920 JP 2022-149428"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明提供能够抑制使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置的处理容器内的颗粒的滞留的基片处理装置和基片处理方法。一个实施方式的基片处理装置包括：处理容器；供给管线；排出管线；设置在排出管线中的调节阀；和控制部，其能够通过调节调节阀的开度来控制处理容器内的压力，在处理容器内的压力被维持在处理流体能够维持超临界状态的压力范围内、且从供给管线向处理容器供给处理流体并且从处理容器排出处理流体的流通步骤中，控制部通过调节调节阀的开度，使降压阶段和升压阶段各执行至少1次，其中，降压阶段是使处理容器内的压力在所述压力范围内下降的阶段，升压阶段是使处理容器内的压力在所述压力范围内上升的阶段。

主权项：1.一种基片处理装置，其为使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：能够收纳所述基片的处理容器；供给管线，其用于将送出处于超临界状态的处理流体的流体供给源与所述处理容器连接；用于从所述处理容器排出处理流体的排出管线；设置在所述排出管线中的调节阀；和控制部，其能够通过调节所述调节阀的开度来控制所述处理容器内的压力，在所述处理容器内的压力被维持在所述处理流体能够维持超临界状态的压力范围内、且从所述供给管线向所述处理容器供给所述处理流体并且从所述处理容器排出所述处理流体的流通步骤中，所述控制部通过调节所述调节阀的开度，使降压阶段和升压阶段各执行至少1次，其中，所述降压阶段是使所述处理容器内的压力在所述压力范围内下降的阶段，所述升压阶段是使所述处理容器内的压力在所述压力范围内上升的阶段。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD