申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2023-02-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747661A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/24;H10B12/00

优先权：["20220920 JP 2022-148926"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。半导体装置具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；以及第1氧化物层，包含规定元素、氧及添加元素，且设置在所述第1电极与所述氧化物半导体之间；所述规定元素为钽、硼、铪、硅、锆及铌中的至少一种，所述添加元素为磷、硫、铜、锌、镓、锗、砷、硒、银、铟、锡、锑、碲及铋中的至少一种。

主权项：1.一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；氧化物半导体，设置在所述第1电极与所述第2电极之间；以及第1氧化物选择器，包含规定元素、氧及添加元素，且设置在所述第1电极与所述氧化物半导体之间；所述规定元素为钽、硼、铪、硅、锆及铌中的至少一种，所述添加元素为磷、硫、铜、锌、镓、锗、砷、硒、银、铟、锡、锑、碲及铋中的至少一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 半导体装置及半导体存储装置

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