申请/专利权人:武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日:2023-12-18
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN117747596A
主分类号:H01L23/544
分类号:H01L23/544;H01L21/66
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开
摘要:本发明提供了一种半导体测试结构及半导体测试方法,所述半导体测试结构包括:测试结构,包括待测结构和第一焊盘,所述待测结构形成于待测半导体结构中,所述第一焊盘形成于所述待测半导体结构中,所述第一焊盘与所述待测结构电连接;第二焊盘,形成于所述待测半导体结构中;监测结构,至少包括导电结构,所述导电结构形成于所述待测半导体结构中,且所述导电结构与所述第一焊盘间隔设置,所述导电结构与所述第二焊盘电连接。本发明的技术方案使得在做可靠性测试时能够及时发现测试异常,以避免导致芯片良率损失。
主权项:1.一种半导体测试结构,其特征在于,包括:测试结构,包括待测结构和第一焊盘,所述待测结构形成于待测半导体结构中,所述第一焊盘形成于所述待测半导体结构中,所述第一焊盘与所述待测结构电连接;第二焊盘,形成于所述待测半导体结构中;监测结构,至少包括导电结构,所述导电结构形成于所述待测半导体结构中,且所述导电结构与所述第一焊盘间隔设置,所述导电结构与所述第二焊盘电连接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体测试结构及半导体测试方法
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