申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2022-12-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747659A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：["20220920 JP 2022-149522"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一导电部、第二导电部、栅极电极、第一绝缘部、第二绝缘部、第三绝缘部以及第四绝缘部。第二电极具有第一部分和从第一部分在第一方向上向第一电极侧延伸的第二部分。第一半导体区域设于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设于第二半导体区域与第二电极之间。第一导电部设于第一半导体区域中。栅极电极设于第二半导体区域与第二部分之间。第二导电部设于第一导电部与栅极电极以及第二部分之间。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一电极；第二电极，具有在第一方向上与所述第一电极分离地设置的第一部分、以及从所述第一部分在所述第一方向上向所述第一电极侧延伸的第二部分；第一导电型的第一半导体区域，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，与所述第一电极电连接；第二导电型的多个第二半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第二电极之间，与所述第二电极电连接；第一导电部，设置于所述第一半导体区域中；第一绝缘部，设置于所述第一导电部与所述第一半导体区域之间；栅极电极，在与所述第一方向相交的第二方向上设置于所述第二半导体区域与所述第二部分之间；第二导电部，设置于所述第一导电部以及所述第一绝缘部与所述栅极电极以及所述第二部分之间，且与所述第二部分电连接；第二绝缘部，设置于所述第一导电部以及所述第一绝缘部与所述第二导电部之间；第三绝缘部，设置于所述第二半导体区域与所述栅极电极之间以及所述第一半导体区域与所述第二导电部之间；以及第四绝缘部，设置于所述栅极电极与所述第二导电部之间。

全文数据：

权利要求：

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