申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737842A

主分类号：C30B25/18

分类号：C30B25/18;C30B25/16;C30B29/36;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种低层错和基平面位错密度碳化硅外延薄膜的制备方法。具体步骤如下：采用熔融碱溶液或者高温氢气对SiC衬底仅生长过缓冲层的SiC外延片进行腐蚀而形成腐蚀坑，基于低速外延工艺生长一层阻断层对层错和基平面位错的腐蚀坑进行横向外延填充，以此阻断层错和基平面位错向后续外延层的延伸，降低后续的外延层中的层错密度和基平面位错密度。阻断层生长过程中引入氯化氢气体进行辅助生长，提升腐蚀坑填充效果和阻断层的平整度。该方法简单易行，且和主流SiC外延工艺相兼容，适于工业化生产，具有极大的推广价值。

主权项：1.一种低层错和基平面位错密度碳化硅外延薄膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤一、采用熔融碱溶液或者高温氢气对SiC衬底仅生长过缓冲层的SiC外延片进行腐蚀，使其显露出层错和位错腐蚀坑，然后对其进行清洗；步骤二、将步骤一中处理过的样品放置到化学气相沉积设备的反应室中，并对反应室进行抽真空处理；步骤三、将高纯氢气通入反应室，将反应室压力调节至60-110mbar，温度升高至1600-1680℃，碳源、硅源和掺杂源流量调节至生长阻断层所需流量并设置为排外，待温度稳定后对SiC样品进行原位表面处理；步骤四、保持反应室温度和压力不变，将碳源、硅源和掺杂源通入反应室中进行阻断层生长；步骤五、将碳源、硅源和掺杂源流量调节至生长缓冲层和或外延层所需流量，进行所需外延结构的生长；步骤六、降温至可取样温度，打开反应室取出外延材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种低层错和基平面位错密度碳化硅外延薄膜的制备方法

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