申请/专利权人：东莞市昱懋纳米科技有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747285A

主分类号：H01F41/02

分类号：H01F41/02;H01F1/153

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法，属于纳米晶软磁材料技术领域。本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法，包括以下步骤：将纳米晶磁芯进行热处理，得到低磁导率纳米晶磁芯；所述热处理包括：第一升温至340～360℃，保温40～60min；第二升温至420～440℃开始施加磁场，保温40～60min；第三升温至510～530℃，保温20～40min；第四升温至550～570℃，保温80～250min，然后降温至300～320℃停止施加磁场。本发明提供的方法能够使1K107磁芯10kHz和100kHz磁导率降到1～3万。

主权项：1.一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法，其特征在于，包括以下步骤：将纳米晶磁芯进行热处理，得到低磁导率纳米晶磁芯；所述热处理包括：第一升温至340～360℃，保温40～60min；第二升温至420～440℃开始施加磁场，保温40～60min；第三升温至510～530℃，保温20～40min；第四升温至550～570℃，保温80～250min，然后降温至300～320℃停止施加磁场。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞市昱懋纳米科技有限公司 一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法

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