申请/专利权人：辉达公司

申请日：2022-09-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747592A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：公开了用于GPU芯片和片上系统设备封装的反向嵌入式电源结构，具体公开了一种晶粒，包括晶粒体，该晶粒体具有第一体表面、与第一体表面处于晶粒体的相对侧上的第二体表面；与第一体表面相邻的互连区，包括具有金属线和通孔的互连介电层；互连区上方的晶体管区，金属线和通孔与晶体管区的一个或更多个电源轨进行电连接并电连接到晶体管区的晶体管；晶体管区上方的电源区，包括第二体表面上的导电薄膜和电源区中的TSV，TSV的外端与薄膜接触并且TSV的嵌入端与电源轨之一接触。还公开了一种制造IC封装的方法和具有该IC封装的计算机。

主权项：1.一种晶粒，包括：晶粒体，所述晶粒体具有第一体表面、在所述晶粒体的与所述第一体表面相对的一侧上的第二体表面，所述晶粒体包括：位于所述第一体表面附近的互连区，所述互连区包括具有金属线和通孔的互连介电层；位于所述互连区上方的晶体管区，其中所述金属线和通孔与所述晶体管区的一个或更多个电源轨进行电连接，并且所述电源轨电连接到所述晶体管区的一个或更多个晶体管；以及位于所述晶体管区上方的电源区，其中所述电源区包括在所述第二体表面上的导电薄膜和嵌入在所述电源区中的TSV，其中对于所述TSV中的每一个，所述TSV的外端接触所述导电薄膜，并且所述TSV的嵌入端接触所述晶体管区的所述电源轨之一。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 辉达公司 用于GPU芯片和片上系统设备封装的反向嵌入式电源结构

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