申请/专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737701A

主分类号：C23C16/458

分类号：C23C16/458;C23C16/52;C23C16/455;C23C16/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种用于CVD反应腔室的基座、一种用于CVD的半导体制造装置，和一种半导体膜的气相生长方法以及一种半导体膜的气相刻蚀方法。用于CVD反应腔室的基座包括安放晶圆的基台和支撑基台的旋转轴，基台具有静电吸附功能，晶圆在基台旋转时被吸附在基台表面，旋转轴耦接至旋转机构以用于使基台以高于1300rpm的速度旋转。本发明提供的一种用于CVD反应腔室的基座、一种用于CVD的半导体制造装置，和一种半导体膜的气相生长方法以及一种半导体膜的气相刻蚀方法，能够主动控制边界层，提高工艺反应的效率。

主权项：1.一种用于CVD反应腔室的基座，所述基座包括安放晶圆的基台和支撑所述基台的旋转轴，其特征在于，所述基台具有静电吸附功能，所述晶圆在所述基台旋转时被吸附在所述基台表面，所述旋转轴耦接至旋转机构以用于使所述基台以高于1300rpm的速度旋转。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏微导纳米科技股份有限公司 一种基座、半导体制造装置、气相生长和刻蚀方法

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