申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
申请日:2022-10-20
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN117750765A
主分类号:H10B41/35
分类号:H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20;H01L21/8234
优先权:["20220920 US 17/948,549"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开
摘要:一种半导体装置包括多个存储块。每个存储块包括存储层叠,该存储层叠包括交错的第一导体层和第一电介质层,以及延伸以分隔开两个相邻的存储块的分隔结构。每个分隔结构包括电介质堆叠体,该电介质堆叠体包括交错的第三电介质层和第四电介质层。第三电介质层与第一电介质层接触,并且第四电介质层与第一导体层接触。
主权项:1.一种半导体装置,包括:多个存储块,每个存储块包括:包括交错的第一导体层和第一电介质层的存储层叠;以及延伸以分隔两个相邻的存储块的分隔结构,每个分隔结构包括:包括交错的第三电介质层和第四电介质层的电介质堆叠体,其中,所述第三电介质层与所述第一电介质层接触,并且所述第四电介质层与所述第一导体层接触。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长江存储科技有限责任公司 三维存储装置及其形成方法
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