申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-07-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750781A

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;G11C11/34

优先权：["20220922 KR 10-2022-0120094"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：提供了一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括：栅极线，在导电层与导电垫之间彼此间隔开；以及沟道结构，延伸穿过栅极线。沟道结构包括：沟道区，限定柱状空间，并且包括与导电垫接触的第一沟道端以及与导电层接触的第二沟道端；以及可变电阻图案，包括外侧壁和第一端，外侧壁在水平方向上与栅极线之中的第一栅极线叠置且沟道区位于外侧壁与第一栅极线之间，第一端与沟道区的第一沟道端间隔开，并且可变电阻图案在水平方向上与栅极线之中的与导电垫相邻的至少一条第二栅极线不叠置。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：导电层；导电垫，在竖直方向上与导电层间隔开；多条栅极线，在导电层与导电垫之间在竖直方向上彼此间隔开；以及沟道结构，在竖直方向上延伸穿过所述多条栅极线，其中，沟道结构包括：沟道区，限定柱状空间，并且包括与导电垫接触的第一沟道端以及与导电层接触的第二沟道端；以及可变电阻图案，包括外侧壁和第一端，外侧壁在水平方向上与所述多条栅极线之中的多条第一栅极线叠置且沟道区位于外侧壁与所述多条第一栅极线之间，第一端在竖直方向上与沟道区的第一沟道端间隔开，并且可变电阻图案在水平方向上与所述多条栅极线之中的与导电垫相邻的至少一条第二栅极线不叠置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统

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