申请/专利权人：北京科技大学

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737849A

主分类号：C30B28/14

分类号：C30B28/14;C30B25/00;C30B29/46;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C30B29/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法，属于二维过渡金属硫族化合物材料生长技术领域，本发明采用两步法CVD生长二维MoTe2，解决了一步法CVD生长二维MoTe2的成核、长大困难等问题，减少了能源损耗，节约了时间成本。通过射频磁控溅射三氧化钼薄膜作为Mo源前驱体，降低了二维MoTe2晶体生长过程中Mo原子单元的晶格形变量，优化了生长产物的晶体质量，并提高了晶体生长速度。本发明所用的生长设备与工艺流程具有高度的工业兼容性，具有优秀的研究成果转化能力和良好的经济效益。

主权项：1.一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法，其特征在于，以高纯三氧化钼靶材和高纯碲粒为原料，通过射频磁控溅射的方法在生长衬底上制备三氧化钼薄膜；以氢气和氩气混合气为载气，将所述三氧化钼薄膜碲化，得到二维二碲化钼晶体薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科技大学 一种提升二维二碲化钼晶体薄膜生长质量和生长速度的方法

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