申请/专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司

申请日：2022-09-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737837A

主分类号：C30B23/02

分类号：C30B23/02;C23C14/02;C23C14/56

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种分子束外延衬底处理装置及分子束外延衬底处理方法，分子束外延衬底处理装置包括通过管道连接的进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室与管道之间分别设置有第一阀门；进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室分别设置有对应的真空泵；管道内设置有送料装置，送料装置用于将衬底运送至进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室中的任意一个。可以对衬底进行湿法处理以及等离子处理，并使衬底生长目标材料。

主权项：1.一种分子束外延衬底处理装置，其特征在于，所述分子束外延衬底处理装置包括通过管道连接的进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室；所述进样室、所述等离子处理腔、所述湿法处理腔以及所述生长室与所述管道之间分别设置有第一阀门；所述进样室用于放置衬底，所述等离子处理腔用于使用等离子处理衬底，所述湿法处理腔用于湿法处理衬底，所述生长室用于对衬底进行分子束外延生长；所述进样室、所述等离子处理腔、所述湿法处理腔以及所述生长室分别设置有对应的真空泵；所述真空泵用于将对应的所述进样室、所述等离子处理腔、所述湿法处理腔以及所述生长室进行抽真空；所述管道内设置有送料装置，所述送料装置用于将衬底运送至所述进样室、所述等离子处理腔、所述湿法处理腔以及所述生长室中的任意一个。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡中科德芯感知科技有限公司 分子束外延衬底处理装置及分子束外延衬底处理方法

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