申请/专利权人：厦门未来显示技术研究院有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747730A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种垂直式微米级发光二极管芯片，该垂直式微米级发光二极管芯片的第一电极和第二电极，即正电极和负电极设计制作分别于二种半导体层的两侧，与传统的复晶式微米级发光二极管的正负电极位于同一侧存在明显的区别，本发明中电极的设计方案可以更加扩展封装电路设计及产品应用价值。其中配合无衬底发光二极管芯片设计亦可以增加微米级小尺寸发光二极管芯片的设计灵活性与产出良率。并且以粘结层初步粘结的方式使垂直式微米级发光二极管芯片站立于临时基板上，可以提供更多元的选择以达到市场客制化发展需求。

主权项：1.一种垂直式微米级发光二极管芯片，其特征在于，所述垂直式微米级发光二极管芯片包括：在第一方向上依次堆叠设置的第一电极、第一半导体层、量子阱发光层、第二半导体层和第二电极；其中，多个所述垂直式微米级发光二极管芯片通过粘结层固定在临时基板上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门未来显示技术研究院有限公司 一种垂直式微米级发光二极管芯片

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