申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747651A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L21/331

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有沟槽分离栅的IGBT结构及其制备方法。本发明通过设置沟槽区和分离栅，采用沟槽结构替代了传统的P型浮空区，这样可保证器件有较高的耐压，并且消除了位移电流，使得器件电流分布更均匀；采用了分离栅极结构，减小密勒电容，降低关断时间，减小关断损耗，改善正向导通压降与关断损耗的折中；减少了器件的栅电荷，降低了驱动损耗；有效增加击穿电压，提高器件可靠性。

主权项：1.一种具有具有沟槽分离栅IGBT结构，其特征在于：自下而上依次设置的集电极金属层（1），P型集电区（2），N型缓冲区（3），N型漂移区（4），N型漂移区（4）表面设置有P型基区（5），P型基区（5）上设置N+型发射区（8），与N+型发射区（8）邻接侧设置有P+接触区（9），N型漂移区（4）表面设置有沟槽，沟槽内设置有栅氧化层（6）和侧多晶硅层（7），沟槽内中间设置有中央多晶硅层（13），多晶硅层被氧化层隔开，N型漂移区（4）上表面设置有介质层（11），介质层（11）上表面设置有发射极金属（12）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 龙腾半导体股份有限公司 一种具有沟槽分离栅IGBT的结构及制备方法

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