申请/专利权人：无锡中微晶园电子有限公司

申请日：2021-11-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114326336B

主分类号：G03F9/00

分类号：G03F9/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：本发明公开一种大尺寸芯片曝光方法，属于集成电路制造领域。将待制作的芯片划分为多块芯片拼接而成的结构；制作各块拼接芯片各层电路结构对应的光刻版；将第一块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第一块拼接芯片的位置并对其进行曝光，在圆片上留下一个对准标记的印记；将第二块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第二块拼接芯片的位置，在对准时选择第一块拼接芯片曝光后留下的对准标记，进行对准曝光；以此类推直至完成当前层次所有拼接芯片的曝光。无需制作额外的标记，只需要找到当前层次初次曝光后留下的浅显的对位标记的印记，在本层次后续的曝光时对准此标记进行曝光，即满足本层次图形间的拼接精度，节省一次曝光及腐蚀工艺流程，降低成本。

主权项：1.一种大尺寸芯片曝光方法，其特征在于，包括：将待制作的芯片划分为多块芯片拼接而成的结构；制作各块拼接芯片各层电路结构对应的光刻版；将第一块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第一块拼接芯片的位置，并对其进行曝光，曝光后在圆片上留下一个对准标记的印记；将第二块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第二块拼接芯片的位置，在对准时选择第一块拼接芯片曝光后留下的对准标记，进行对准曝光；以此类推直至完成当前层次所有拼接芯片的曝光。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡中微晶园电子有限公司 一种大尺寸芯片曝光方法

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