申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司

申请日：2024-01-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117613163B

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/32;H01L33/34;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件的外延结构及制备方法，该外延结构包括多量子阱层；沉积在多量子阱层上的空穴提供层；空穴提供层包括由下至上依次沉积的第一电子阻挡层、第一SiC层、LTpGaN层、第二电子阻挡层、第二SiC层及HTpGaN层；其中，第一电子阻挡层及第二电子阻挡层的材料为AlN和AlGaN中的一种或者两种；LTpGaN层及HTpGaN层的材料为掺杂有镁Mg元素的GaN和掺杂有镁Mg元素的AlGaN中的一种或者两种。该外延结构可以形成低势垒层，以起到聚集空穴的作用，同时，由于该外延结构为无In结构，不会影响出光效率，可以提升发光元件的亮度。

主权项：1.一种半导体发光元件的外延结构，其特征在于，至少包括：多量子阱层；沉积在所述多量子阱层上的空穴提供层；所述空穴提供层包括由下至上依次沉积的第一电子阻挡层、第一SiC层、LTpGaN层、第二电子阻挡层、第二SiC层及HTpGaN层；其中，所述第一电子阻挡层及所述第二电子阻挡层的材料为AlN和AlGaN中的一种或者两种；所述LTpGaN层及所述HTpGaN层的材料为掺杂有镁Mg元素的GaN和掺杂有镁Mg元素的AlGaN中的一种或者两种；所述第一SiC层及第二SiC层用于在所述空穴提供层中形成低势垒层，以使空穴聚集于所述第一SiC层及第二SiC层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 一种半导体发光元件的外延结构及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD