申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-08-01

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111048459B

主分类号：H01L21/68

分类号：H01L21/68

优先权：["20181011 KR 10-2018-0121028"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.01.26#实质审查的生效;2020.04.21#公开

摘要：提供了一种对准晶片的方法、接合晶片的方法以及对准晶片的装置。在对准晶片的方法中，在具有第一对准键的第一晶片上布置具有第二对准键的第二晶片。通过穿过所述第二晶片形成对准孔，以暴露所述第二对准键和所述第一对准键。通过所述对准孔使所述第一对准键和所述第二对准键彼此对准，来将所述第一晶片和所述第二晶片彼此对准。因此，通过所述对准孔暴露的所述第一对准键和所述第二对准键可以被定位在同一条垂直线上，以使所述第一晶片与所述第二晶片精确对准。

主权项：1.一种对准晶片的方法，所述方法包括：在具有第一对准键的第一晶片上方布置具有第二对准键的第二晶片；通过穿过所述第二晶片形成对准孔，以暴露所述第二对准键和所述第一对准键；以及通过所述对准孔使所述第一对准键和所述第二对准键彼此对准，来将所述第一晶片和所述第二晶片彼此对准，其中，所述的形成所述对准孔包括：通过穿过所述第二晶片形成初始对准孔，以暴露所述第二对准键的侧表面和所述第一对准键的上表面；以及扩大所述初始对准孔的宽度以形成所述对准孔，从而暴露所述第二对准键的上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 对准晶片的方法、接合晶片的方法以及对准晶片的装置

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